SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法
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ID： |
96AE736455AB456B8C90AD4500735600 |
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0.43 |
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9 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5971 SJ 20636-97,IC用大直径薄硅片的氧、碳含量,微区试验方法,Test method for oxygen and carbon contents of large diameter,thin silicon wafer in microzone for use in IC,1997-06-17 发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,IC用大直径薄硅片的氧、碳含量,微区试验方法,SJ 20636-97,Test method for oxygen and carbon contents of large diameter,thin silicon wafer in microzone for use in IC,范围,1.I 主题内容,本标准规定了厚度为0,3.2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微,区测量方法,1.2 适用范围,本标准适用于室温电阻率大于0. Idem的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳,含量微区测定。测量范围,对于间隙氧含量为3.0X1016at.ctn"至间隙氧在硅中最大固溶度;,对于替位碳含量为5.〇メ1〇15玳,《1I-3至替位碳在硅中最大固溶度,2引用文件,GB 1558-83 测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法,GB/T 14143-93 300.900；zm硅片间隙氧含量 红外吸收测量方法,3定义,3.1 差不法 difference method,将基本上不含所测杂质并与未知试样具有相同厚度基体材料的晶片,放入光谱仪参照光,路中,消除掉由于迭加以及反射和散射损失产生干扰的ー种测试方法,3.2 空气参比法 air reference method,当无迭加带干扰被分析杂质的吸收带时,光谱仪参照光路中使用空气的ー种参比方法,4 一般要求,4.1 测量的标准大气条件,a.环境温度:15~351;,b,相对湿度:460%,4.2 测量环境条件,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布 1997-10-01实施,1,SJ 20636-97,测量实验室不允许有机械冲击和振动,也不允许存在电磁干扰,无腐蚀性气体,要求一定,的洁净条件,以确保测量准确度,5详细要求,本标准采用独立编号方法,将两种测试方法列为:,a.方法101 IC用大直径薄硅片中间隙氧含量微区径向分布测量;,b.方法102 IC用大直径薄硅片的替位碳含量微区红外吸收测量,2,www. bzfxw. com 下载,SJ 20636-97,方法101,ic用大直径薄硅片中间隙筑含量微区径向分布测量,1方法提要,本方法规定了大直径薄硅片中间隙氧含量的微区径向分布测量选点方案。在规定的测量,位置,用红外吸收方法测定硅中间隙氧含量,并将氧含量值代入计算公式,求出间隙氧含量微,区径向百分变化及相对标准偏差,2测量仪器,2.!红外分光光度计或傅里叶变换红外光谱仪，仪器在1107cmT处分辨率应优于5cmT,2.2 红外显微镜,该显微镜带有可沿X-Y方向精确移动的机械载物台,测量光孔可调,2.3 千分尺,准确度优于0.01mm,3试样制备,3.1 试样厚度为0.3~2.0mm,3.2 试样经双面研磨或单面抛光或双面抛光,试样表面应符合GB/T 14143中5.1-5.2条,的规定,3.3 试样总厚度变化应不大于lOptm,4选点方案,4.!选点位置见图101-1,根据试样直径大小选取不同数目的测量点（一个中心点和多个等,间距点）,4.2 中心点的位置,选在任意两条至少成45.相交的直径的交点上,偏离试样中心不大于,1.0mmo,4.3 各等间距点的位置,选在与主参考面平行无副参考面一侧的半径上,从距边缘4.0mm的,第一点起,间距为0.5.1.0mm,依次到距试样中心小于250km不能再选取为止,图101 - 1硅中间隙氧含量红外微区径向分布测量选点位置示意图,-3,骷毂芻G版却,5测试程序,5.1 借助于目镜,将红外显微镜的測量光風孔後调到25Mmx25O#m。用手轮调节载物台,在照明光路的帮助下,通过目镜观察试样,按照选点方案精确调整渕量位置,5.2 按GB/T14143中6.2~6.4条测定间隙氧含量,5.3 在测量过程中,测量条件和仪器的参教应保持不变,6结果计第,6.1 间隙氧含量微区径向百分变化(ROV)由公式(101 -1)给出:,ROV =M。キ消［%? X100 (101-1),み LUJc,式中;N［0］1Mx——各点间隙氧含量中的最大值,ahem”；,N［0］由一各点间隙氧含量中的最小值,at.cmT；,N［0］c——中心点间隙氧含量,at.cmT,6.2 间隙氧含量微区径向相对标准偏差(RSD)由公式(101-2)给出:,RSD=［右(乂［〇］一N［〇］)シ(〃ー1)产忐. (101-2),式中:M［0］—径向第i点间瞭氧含量,at.cm-3,N［〇］--- 间隙氧含量平均值,at. cm",n——径向测量点数,7报吿,测量报吿应包括如下内容,a.测试日期;,b,操作者和测试单位;,c,间隙氧含量微区径向百分变化及相对标准偏差;,d.各测量点间隙氧含量；,e.试样数量及编号;,f.试样状况(厚度、直径、型号、晶向和表面状态)；,g.测试仪器型号、选用参数、显微镜测量光阑孔径和测试间距,8精密度,本方法相对标准偏差15%,■, 4 .,www. bzfxw. com 下载,SJ 20636-97,方法102,IC用大直径薄硅片的替位碳含量微区……
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